画像は参考までに、仕様書を参照してください
W987D2HBJX6E
| メーカー: | Winbond Electronics |
|---|---|
| 対象品目: | Memory |
| データシート: | W987D2HBJX6E |
| 説明: | IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | Winbond Electronics |
| 対象品目 | Memory |
| シリーズ | - |
| 包装 | Tray |
| 技術 | SDRAM - Mobile LPSDR |
| アクセス時間 | 5.4ns |
| メモリサイズ | 128Mb (4M x 32) |
| メモリタイプ | Volatile |
| 部地位 | Not For New Designs |
| メモリフォーマット | DRAM |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パケット/場合 | 90-TFBGA |
| クロック周波数 | 166MHz |
| メモリ・インターフェース | Parallel |
| 電圧-供給 | 1.7V ~ 1.95V |
| 作動温度 | -25°C ~ 85°C (TC) |
| サプライヤー装置パッケージ | 90-VFBGA (8x13) |
| サイクル時間−単語,ページを書く | 15ns |
在庫が 56 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $2.21 | $2.17 | $2.12 |
最小: 1
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