画像は参考までに、仕様書を参照してください

DMN3033LSNQ-13

メーカー:	Diodes Incorporated
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	DMN3033LSNQ-13
説明:	MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Diodes Incorporated
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	-
fet234タイプ	N-Channel
包装	Tape & Reel (TR)
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id	2.1V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	30mOhm @ 6A, 10V
電力放蕩(マックス)	1.4W (Ta)
サプライヤー装置パッケージ	SC-59
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	10.5nC @ 5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	755pF @ 10V
現在25%で安全連続(id) @°c	6A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	4.5V, 10V