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DMN3033LSNQ-13

メーカー: Diodes Incorporated
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: DMN3033LSNQ-13
説明: MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Diodes Incorporated
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ -
fet234タイプ N-Channel
包装 Tape & Reel (TR)
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 30mOhm @ 6A, 10V
電力放蕩(マックス) 1.4W (Ta)
サプライヤー装置パッケージ SC-59
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 10.5nC @ 5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 755pF @ 10V
現在25%で安全連続(id) @°c 6A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 4.5V, 10V

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