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IMW120R220M1HXKSA1

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: IMW120R220M1HXKSA1
説明: COOLSIC MOSFETS 1200V
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ CoolSiC™
fet234タイプ N-Channel
vgs max +23V, -7V
技術 SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id 5.7V @ 1.6mA
作動温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 286mOhm @ 4A, 18V
電力放蕩(マックス) 75W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ PG-TO247-3-41
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 8.5nC @ 18V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 1.2kV
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 289pF @ 800V
現在25%で安全連続(id) @°c 13A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 15V, 18V

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