IMZ120R350M1HXKSA1
メーカー: | Infineon Technologies |
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対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
データシート: | IMZ120R350M1HXKSA1 |
説明: | COOLSIC MOSFETS 1200V |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | Infineon Technologies |
対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
シリーズ | CoolSiC™ |
fet234タイプ | N-Channel |
vgs max | +23V, -7V |
技術 | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
fet特徴 | - |
部地位 | Active |
取付タイプ | Through Hole |
パケット/場合 | TO-247-4 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5.7V @ 1mA |
作動温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rdsデータ(Max) @ Vgs | 350mOhm @ 2A, 18V |
電力放蕩(マックス) | 60W (Tc) |
サプライヤー装置パッケージ | PG-TO247-4-1 |
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 5.3nC @ 18V |
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 1.2kV |
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 182pF @ 800V |
現在25%で安全連続(id) @°c | 4.7A (Tc) |
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) | 15V, 18V |
在庫が 96 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$9.26 | $9.07 | $8.89 |
最小: 1