画像は参考までに、仕様書を参照してください
A2T18H455W23NR6
| メーカー: | NXP USA Inc. |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - RF |
| データシート: | A2T18H455W23NR6 |
| 説明: | AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | NXP USA Inc. |
| 対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - RF |
| 利得 | 14.5dB |
| シリーズ | - |
| 周波数 | 1.805GHz ~ 1.88GHz |
| 部地位 | Not For New Designs |
| ノイズ図 | - |
| 现行の中国语-水平考试 | 1.08A |
| パケット/場合 | OM-1230-4L2S |
| 力-出力 | 56dBm |
| -電圧検査 | 31.5V |
| トランジスタタイプ | LDMOS |
| 電圧-評価 | 65V |
| 現在の視聴率(アンペア) | 10µA |
| サプライヤー装置パッケージ | OM-1230-4L2S |
在庫が 99 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $138.74 | $135.97 | $133.25 |
最小: 1
要求引用
下の書類に記入して、できるだけ早くご連絡します
Bargain Finds
