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A2T18H455W23NR6

メーカー: NXP USA Inc.
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - RF
データシート: A2T18H455W23NR6
説明: AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー NXP USA Inc.
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - RF
利得 14.5dB
シリーズ -
周波数 1.805GHz ~ 1.88GHz
部地位 Not For New Designs
ノイズ図 -
现行の中国语-水平考试 1.08A
パケット/場合 OM-1230-4L2S
力-出力 56dBm
-電圧検査 31.5V
トランジスタタイプ LDMOS
電圧-評価 65V
現在の視聴率(アンペア) 10µA
サプライヤー装置パッケージ OM-1230-4L2S

在庫が 99 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$138.74 $135.97 $133.25
最小: 1

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