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PDTC123EEF,115

メーカー:	NXP USA Inc.
対象品目:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
データシート:	PDTC123EEF,115
説明:	TRANS PREBIAS NPN 250MW SC89
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	NXP USA Inc.
対象品目	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
シリーズ	-
包装	Cut Tape (CT)
部地位	Obsolete
-マックス	250mW
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	SC-89, SOT-490
トランジスタタイプ	NPN - Pre-Biased
ベース部材番号	PDTC123
抵抗基地(R1)	2.2 kOhms
サプライヤー装置パッケージ	SC-89
抵抗器−送信機基地(R2−R2)	2.2 kOhms
vイス(Max) @ Ib、Ic	150mV @ 500µA, 10mA
現在-コレクター・Ic (Max)	100mA
トラッキング・キュートフ(マックス)	1µA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce	30 @ 20mA, 5V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max	50V