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FJN3314RTA

メーカー:	ON Semiconductor
対象品目:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
データシート:	FJN3314RTA
説明:	TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	ON Semiconductor
対象品目	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
シリーズ	-
包装	Cut Tape (CT)
部地位	Obsolete
-マックス	300mW
取付タイプ	Through Hole
パケット/場合	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
トランジスタタイプ	NPN - Pre-Biased
ベース部材番号	FJN3314
抵抗基地(R1)	4.7 kOhms
周波数-遷移	250MHz
サプライヤー装置パッケージ	TO-92-3
抵抗器−送信機基地(R2−R2)	47 kOhms
vイス(Max) @ Ib、Ic	300mV @ 500µA, 10mA
現在-コレクター・Ic (Max)	100mA
トラッキング・キュートフ(マックス)	100nA (ICBO)
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce	68 @ 5mA, 5V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max	50V