HGTG12N60B3
メーカー: | ON Semiconductor |
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対象品目: | Transistors - IGBTs - Single |
データシート: | HGTG12N60B3 |
説明: | IGBT 600V 27A 104W TO247 |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | ON Semiconductor |
対象品目 | Transistors - IGBTs - Single |
シリーズ | - |
igbtタイプ | - |
包装 | Tube |
入力タイプ | Standard |
門電荷 | 51nC |
部地位 | Obsolete |
-マックス | 104W |
取付タイプ | Through Hole |
パケット/場合 | TO-247-3 |
実験条件 | 480V, 12A, 25Ohm, 15V |
ベース部材番号 | HGTG12N60 |
スイッチングエネルギー | 150µJ (on), 250µJ (off) |
td (on / off) @ 25°c | 26ns/150ns |
作動温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
サプライヤー装置パッケージ | TO-247-3 |
v(オン)(Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 12A |
現在-コレクター・Ic (Max) | 27A |
現在-コレクターピン(Icm) | 110A |
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 600V |
在庫が 96 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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最小: 1