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HGTG12N60B3

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - IGBTs - Single
データシート: HGTG12N60B3
説明: IGBT 600V 27A 104W TO247
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - IGBTs - Single
シリーズ -
igbtタイプ -
包装 Tube
入力タイプ Standard
門電荷 51nC
部地位 Obsolete
-マックス 104W
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-247-3
実験条件 480V, 12A, 25Ohm, 15V
ベース部材番号 HGTG12N60
スイッチングエネルギー 150µJ (on), 250µJ (off)
td (on / off) @ 25°c 26ns/150ns
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ TO-247-3
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 12A
現在-コレクター・Ic (Max) 27A
現在-コレクターピン(Icm) 110A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 600V

在庫が 96 pcs

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