画像は参考までに、仕様書を参照してください

BSM250D17P2E004

メーカー: ROHM Semiconductor
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート: BSM250D17P2E004
説明: HALF BRIDGE MODULE CONSISTING OF
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ROHM Semiconductor
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ -
fet234タイプ 2 N-Channel (Half Bridge)
fet特徴 Silicon Carbide (SiC)
部地位 Active
-マックス 1800W (Tc)
取付タイプ Chassis Mount
パケット/場合 Module
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 66mA
作動温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs -
サプライヤー装置パッケージ Module
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs -
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 1700V (1.7kV)
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 30000pF @ 10V
現在25%で安全連続(id) @°c 250A (Tc)

在庫が 12 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$918.40 $900.03 $882.03
最小: 1

要求引用

下の書類に記入して、できるだけ早くご連絡します

Bargain Finds

FF6MR12W2M1B11BOMA1
Infineon Technologies
$304.56
FF8MR12W2M1B11BOMA1
Infineon Technologies
$233.75
FS45MR12W1M1B11BOMA1
Infineon Technologies
$133.67
FF45MR12W1M1B11BOMA1
Infineon Technologies
$57.6