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BSM250D17P2E004

メーカー:	ROHM Semiconductor
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート:	BSM250D17P2E004
説明:	HALF BRIDGE MODULE CONSISTING OF
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	ROHM Semiconductor
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ	-
fet234タイプ	2 N-Channel (Half Bridge)
fet特徴	Silicon Carbide (SiC)
部地位	Active
-マックス	1800W (Tc)
取付タイプ	Chassis Mount
パケット/場合	Module
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 66mA
作動温度	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	-
サプライヤー装置パッケージ	Module
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	-
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	1700V (1.7kV)
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	30000pF @ 10V
現在25%で安全連続(id) @°c	250A (Tc)