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RJP65T54DPM-A0#T2
| メーカー: | Renesas Electronics America |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - IGBTs - Single |
| データシート: | RJP65T54DPM-A0#T2 |
| 説明: | IGBT TRENCH 650V 60A TO-3PFP |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | Renesas Electronics America |
| 対象品目 | Transistors - IGBTs - Single |
| シリーズ | - |
| igbtタイプ | Trench |
| 包装 | Tube |
| 入力タイプ | Standard |
| 門電荷 | 72nC |
| 部地位 | Obsolete |
| -マックス | 63.5W |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パケット/場合 | SC-94 |
| 実験条件 | 400V, 30A, 10Ohm, 15V |
| スイッチングエネルギー | 330µJ (on), 760µJ (off) |
| td (on / off) @ 25°c | 35ns/120ns |
| 作動温度 | 175°C (TJ) |
| サプライヤー装置パッケージ | TO-3PFP |
| v(オン)(Max) @ Vge, Ic | 1.68V @ 15V, 30A |
| 現在-コレクター・Ic (Max) | 60A |
| 電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 650V |
在庫が 53 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
最小: 1
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