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GT8G133(TE12L,Q)

メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目: Transistors - IGBTs - Single
データシート: GT8G133(TE12L,Q)
説明: IGBT 400V 600MW 8TSSOP
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目 Transistors - IGBTs - Single
シリーズ -
igbtタイプ -
包装 Tape & Reel (TR)
入力タイプ Standard
部地位 Obsolete
-マックス 600mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
実験条件 -
スイッチングエネルギー -
td (on / off) @ 25°c 1.7µs/2µs
作動温度 150°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ 8-TSSOP
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 4V, 150A
現在-コレクターピン(Icm) 150A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 400V

在庫が 91 pcs

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