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SI5463EDC-T1-GE3

メーカー: Vishay / Siliconix
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: SI5463EDC-T1-GE3
説明: MOSFET P-CH 20V 3.8A 1206-8
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Vishay / Siliconix
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ -
fet234タイプ P-Channel
包装 Tape & Reel (TR)
vgs max ±12V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Obsolete
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-SMD, Flat Lead
Vgs(th) (Max) @ Id 450mV @ 250µA (Min)
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 62mOhm @ 4A, 4.5V
電力放蕩(マックス) 1.25W (Ta)
サプライヤー装置パッケージ 1206-8 ChipFET™
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 20V
現在25%で安全連続(id) @°c 3.8A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 1.8V, 4.5V

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