SI5475BDC-T1-E3
メーカー: | Vishay / Siliconix |
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対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
データシート: | SI5475BDC-T1-E3 |
説明: | MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8 |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | Vishay / Siliconix |
対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
シリーズ | TrenchFET® |
fet234タイプ | P-Channel |
包装 | Tape & Reel (TR) |
vgs max | ±8V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
fet特徴 | - |
部地位 | Obsolete |
取付タイプ | Surface Mount |
パケット/場合 | 8-SMD, Flat Lead |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
作動温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rdsデータ(Max) @ Vgs | 28mOhm @ 5.6A, 4.5V |
電力放蕩(マックス) | 2.5W (Ta), 6.3W (Tc) |
サプライヤー装置パッケージ | 1206-8 ChipFET™ |
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 8V |
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 12V |
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 1400pF @ 6V |
現在25%で安全連続(id) @°c | 6A (Ta) |
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) | 1.8V, 4.5V |
在庫が 96 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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最小: 1