画像は参考までに、仕様書を参照してください
SISF20DN-T1-GE3
| メーカー: | Vishay / Siliconix |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| データシート: | SISF20DN-T1-GE3 |
| 説明: | MOSFET DL N-CH 60V PPK 1212-8SCD |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix |
| 対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| シリーズ | TrenchFET® Gen IV |
| fet234タイプ | 2 N-Channel (Dual) |
| 包装 | Cut Tape (CT) |
| fet特徴 | Standard |
| 部地位 | Active |
| -マックス | 5.2W (Ta), 69.4W (Tc) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パケット/場合 | PowerPAK® 1212-8SCD |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| 作動温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rdsデータ(Max) @ Vgs | 13mOhm @ 7A, 10V |
| サプライヤー装置パッケージ | PowerPAK® 1212-8SCD |
| ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 33nC @ 10V |
| ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 60V |
| 入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 1290pF @ 30V |
| 現在25%で安全連続(id) @°c | 14A (Ta), 52A (Tc) |
在庫が 50 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $1.56 | $1.53 | $1.50 |
最小: 1
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