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SISF20DN-T1-GE3

メーカー:	Vishay / Siliconix
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート:	SISF20DN-T1-GE3
説明:	MOSFET DL N-CH 60V PPK 1212-8SCD
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Vishay / Siliconix
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ	TrenchFET® Gen IV
fet234タイプ	2 N-Channel (Dual)
包装	Cut Tape (CT)
fet特徴	Standard
部地位	Active
-マックス	5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	PowerPAK® 1212-8SCD
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	13mOhm @ 7A, 10V
サプライヤー装置パッケージ	PowerPAK® 1212-8SCD
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	33nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	60V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	1290pF @ 30V
現在25%で安全連続(id) @°c	14A (Ta), 52A (Tc)