GT50J121(Q)
メーカー: | Toshiba Semiconductor and Storage |
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対象品目: | Transistors - IGBTs - Single |
データシート: | GT50J121(Q) |
説明: | IGBT 600V 50A 240W TO3P LH |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
対象品目 | Transistors - IGBTs - Single |
シリーズ | - |
igbtタイプ | - |
包装 | Tube |
入力タイプ | Standard |
部地位 | Obsolete |
-マックス | 240W |
取付タイプ | Through Hole |
パケット/場合 | TO-3PL |
実験条件 | 300V, 50A, 13Ohm, 15V |
スイッチングエネルギー | 1.3mJ (on), 1.34mJ (off) |
td (on / off) @ 25°c | 90ns/300ns |
作動温度 | 150°C (TJ) |
サプライヤー装置パッケージ | TO-3P(LH) |
v(オン)(Max) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 50A |
現在-コレクター・Ic (Max) | 50A |
現在-コレクターピン(Icm) | 100A |
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 600V |
在庫が 91 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.00 | $0.00 | $0.00 |
最小: 1