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GT50J121(Q)

メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目: Transistors - IGBTs - Single
データシート: GT50J121(Q)
説明: IGBT 600V 50A 240W TO3P LH
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目 Transistors - IGBTs - Single
シリーズ -
igbtタイプ -
包装 Tube
入力タイプ Standard
部地位 Obsolete
-マックス 240W
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-3PL
実験条件 300V, 50A, 13Ohm, 15V
スイッチングエネルギー 1.3mJ (on), 1.34mJ (off)
td (on / off) @ 25°c 90ns/300ns
作動温度 150°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ TO-3P(LH)
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 50A
現在-コレクター・Ic (Max) 50A
現在-コレクターピン(Icm) 100A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 600V

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